開發具有業界最大24GB内存容量的HBM3産品；客戶對樣品的績效評估正在進行中
通過堆疊12個DRAM芯片實現高容量和高性能
計劃在2023年上半年前完成大規模生産的準備工作，旨在鞏固公司在尖端DRAM市場的領導地位
韓國首爾，2023年4月20日/美通社/--SK-hynix股份有限公司（或“該公司”，www.skhynix.com）今天宣布，它已成為業界第一個開發具有24 GB**内存容量的12層HBM3*産品的公司，目前是業界最大的産品，并表示客戶正在對樣品進行性能評估。
*HBM（高帶寬存儲器）：一種高價值、高性能的存儲器，與傳統的DRAM産品相比，它可以垂直互連多個DRAM芯片，并顯著提高數據處理速度。HBM3是繼前幾代HBM、HBM2和HBM2E之後的第4代産品
**先前開發的8層HBM3産品的最大存儲容量為16GB
SK海力士表示：“繼去年6月大規模生産世界上第一台HBM3之後，該公司成功開發了24GB封裝産品，該産品的内存容量比之前的産品增加了50%。”。“我們将能夠從今年下半年開始向市場供應新産品，以滿足人工智能聊天機器人行業對高級内存産品日益增長的需求。”
SK海力士的工程師通過在最新産品中應用先進的質量回流模塑底充（MR-MUF）*技術提高了工藝效率和性能穩定性，而通矽過孔（TSV）**技術将單個DRAM芯片的厚度減少了40%，實現了與16GB産品相同的堆疊高度水平。
*MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）：一種将多個芯片放置在下基闆上，并通過回流将其一次粘合，然後用模具材料同時填充芯片之間或芯片與基闆之間的間隙的方法。
**TSV（Through Silicon Via）：一種用于高級封裝的互連技術，将上下芯片與垂直穿過DRAM芯片上數千個細孔的電極連接起來。SK海力士的HBM3集成了這項技術，每秒可處理819GB，這意味着每秒可傳輸163部FHD（全高清）電影
HBM由SK海力士于2013年首次開發，因其在實現在高性能計算（HPC）系統中運行的生成人工智能方面的關鍵作用而受到存儲芯片行業的廣泛關注。
尤其是最新的HBM3标準，被認為是快速處理大量數據的最佳産品，因此全球主要科技公司對其的采用率正在上升。
SK海力士已向多家客戶提供了其24GB HBM3産品的樣品，這些客戶對最新産品表示了極大的期望，同時該産品的性能評估正在進行中。
SK海力士封裝與測試主管Sang Hoo Hong表示：“SK海力士通過其在後端工藝中使用的領先技術，能夠持續開發一系列超高速和高容量HBM産品。”。“公司計劃在今年上半年内完成新産品的量産準備，以進一步鞏固其在人工智能時代尖端DRAM市場的領先地位。”
