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全球半導體設備站在高位震蕩路口:AI邊際信号轉弱,國産替代進入攻堅期

來源:佳瑞 時間:2026-09-11 08:35:17

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全球半導體設備市場正站在一個微妙的十字路口。過去兩年,由AI算力需求驅動的資本開支狂潮将這個行業推向前所未有的高度,英偉達、谷歌、微軟等科技巨頭競相建設AI數據中心,推動先進制程與先進封裝設備需求激增。據SEMI統計,2025年全球半導體設備銷售額突破1200億美元,其中AI相關投資貢獻了約三分之一的增量。然而進入2026年,市場開始出現增速換擋的迹象。博通在最新财報中給出的AI半導體收入指引雖仍高達217億美元,同比增長236%,但僅略高于市場預期的213億美元,這一邊際不及預期的信号被解讀為AI資本開支可能見頂的前兆。台積電與三星等晶圓大廠的資本開支計劃也趨于保守,3nm産能爬坡速度低于預期,部分設備訂單出現延期。從周期位置看,當前市場處于高位震蕩階段,先進制程熱而成熟制程冷,設備廠商的訂單能見度從2025年的12至18個月縮短至當前的6至9個月,業績波動性顯著上升。


在這個背景下,ASML、應用材料、泛林集團、東京電子和科磊五大國際巨頭合計占據超過75%的市場份額,形成高度壟斷格局。ASML作為全球唯一能夠量産EUV設備的企業,其High-NA EUV設備單價超過3.5億歐元,未交付訂單超過500億歐元,護城河不僅在于技術,更在于其與台積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠構建的客戶共生生态。應用材料則憑借平台化戰略覆蓋沉積、刻蝕、離子注入、化學機械抛光等幾乎所有前道工藝環節,為客戶提供一站式解決方案,降低供應鍊複雜度。然而,美國對華出口管制持續收緊,限制14nm及以下先進制程設備對華出口,倒逼中國加速國産替代。同時,全球地緣政治風險上升,各國紛紛推出半導體産業本土化政策,設備市場的區域化趨勢日益明顯,為中國設備企業提供了難得的戰略窗口期。


中國半導體設備國産化率在過去五年實現了從不足10%到約25%的跨越,但高端設備仍嚴重依賴進口。當前國産替代呈現點狀突破與鍊式協同的特征。中微公司的5nm刻蝕機已進入台積電供應鍊,其CCP和ICP刻蝕設備在邏輯芯片和存儲芯片領域均實現批量出貨。北方華創的刻蝕設備覆蓋28nm及以上成熟制程,正在向14nm及以下節點推進。拓荊科技在PECVD領域實現國産替代,其設備已廣泛應用于國内存儲芯片産線。盛美上海的單片清洗設備在成熟制程産線中已占據較高份額。光刻機仍是最大瓶頸,上海微電子的90nm光刻機已實現量産,但28nm及以下節點的DUV光刻機仍處研發階段,EUV光刻機更是遙不可及。2026年,國家集成電路産業投資基金三期3440億元投資正式落地,重點投向半導體設備、材料和制造環節,與一期、二期相比,三期更強調強鍊補鍊,針對光刻機、高端刻蝕、量測設備等卡脖子環節進行定向扶持,同時更加注重與地方産業基金、社會資本的合作,形成國家隊、地方隊與市場隊的協同投資格局。


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