國内存儲龍頭企業長鑫科技10月31日公布了一份投資者關系活動記錄表，回應了市場高度關注的技術進展。公司透露下一代也就是第六代工藝技術平台将基于4F²垂直溝道DRAM架構，該工藝技術平台已完成工程樣片驗證。4F²架構通過更緊湊的布局縮小存儲單元面積提高單位面積存儲密度。采用4F²架構的首代産品今年年底送樣後，該架構的規模量産會根據客戶驗證進度市場需求情況推進。這一進展标志着國産存儲芯片在先進制程領域又邁出關鍵一步，向高端服務器市場發起沖擊的技術儲備進一步夯實。
此前長鑫科技宣布在4F²垂直溝道DRAM架構上取得關鍵突破，随後相關技術在業内引起争議。長鑫科技此次回應稱從物理規律看DRAM位密度提升确實是一個複雜的系統工程，涉及字線位線以及電容結構的多重空間博弈，相關說法反映了行業在先進制程微縮階段所面臨的普遍物理挑戰。在特定技術節點下不同架構在工藝集成複雜度光刻次數以及熱預算等方面呈現出不同的成本效益曲線。不同存儲廠商基于自身曆史技術積累現有産線配置專利布局及資本開支結構往往會做出差異化的戰略選擇值得理解和尊重。
經營質量同步改善。前三季度經營活動淨現金流2548億元同比增長1865%，僅三季度單季就達1236億元環比增長近40%。三季度末資産負債率降至36.34%較上年末下降17.9個百分點。前三季度研發投入111億元同比增長73%。管理團隊表示四季度受AI應用快速發展驅動服務器客戶對産品需求強勁DRAM供不應求态勢仍将延續，預計公司營收繼續保持增長。展望明年在AI智能終端等需求帶動下營收預計仍将保持增長。
在基礎架構層面長鑫在近期行業會議上透露預計年底将推出融合4F²架構及混合鍵合技術的新一代DDR5 RDIMM産品。長鑫自研的VSG垂直包圍栅晶體管采用垂直包圍溝道結構解決漏電與短溝道效應痛點提升存儲密度。将首代4F²架構産品定位于技術壁壘極高的服務器級DDR5 RDIMM，表明長鑫正依托長期技術沉澱向需要全天候穩定運行嚴苛兼容性測試的服務器高端市場發起沖擊。前瞻技術及新産品不會在短期全部轉化為當期利潤，更多是構築中長期競争力，國産存儲的突圍之路正在從跟跑轉向并跑甚至領跑的關鍵階段。
