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中芯國際成熟制程産能擴張加速 國産替代浪潮與先進制程突破的估值博弈

來源:佳惠 時間:2026-09-08 13:15:16

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中芯國際在2026年加速成熟制程産能擴張,受益于國産替代浪潮,但先進制程7nm及以下受限于設備禁運,突破進展緩慢。這種成熟制程的确定性與先進制程的不确定性之間的博弈,構成了中芯國際估值的核心矛盾。市場需要在現金流價值和成長期權之間做出權衡。成熟制程是中芯國際當前的基本盤。28nm及以上制程的産能持續擴張,主要面向物聯網、汽車電子、電源管理芯片、顯示驅動芯片等領域。這些領域對制程先進性的要求不高,但對成本敏感度和供應鍊穩定性要求高。中芯國際憑借成本優勢、本地化服務和穩定的供貨能力,在國内市場獲得了大量訂單。華為、榮耀、小米、OPPO等國内終端廠商,在成熟制程芯片的采購中,優先選擇中芯國際等本土代工廠。國産替代的政策導向也為中芯國際提供了增量空間。中國半導體自給率目标為2025年達到70%,當前仍有較大差距,成熟制程是填補這一差距的主力。産能擴張方面,中芯國際在北京、上海、深圳、天津等地的工廠持續擴産。2026年資本開支預計超過500億元,主要用于成熟制程産能的建設。這些産能的逐步釋放,将帶來收入的穩定增長。成熟制程的産能利用率在2026年保持在90%以上,部分熱門工藝節點甚至出現供不應求的情況。價格趨勢方面,雖然全球晶圓代工行業面臨價格戰壓力,但中芯國際的成熟制程價格相對穩定,因為其客戶以國内為主,競争格局優于國際先進制程市場。


先進制程是中芯國際估值的最大變量。7nm及以下制程需要EUV極紫外光刻機,而EUV設備受到美國出口管制,中芯國際無法獲得。中芯國際通過DUV深紫外光刻機的多重曝光技術,實現了7nm工藝的量産,但良率和産能均受到限制。5nm及以下制程則幾乎不可能通過DUV技術實現,除非國産EUV設備取得突破。上海微電子的國産光刻機目前僅實現90nm量産,28nm設備處于驗證階段,EUV設備的研發仍處于早期。這意味着中芯國際在先進制程方面的追趕,短期内難以取得實質性突破。國産設備材料配套是另一個關鍵變量。中芯國際的産能擴張,帶動了國内設備商和材料商的發展。北方華創在刻蝕設備和薄膜沉積設備方面取得突破,中微公司的刻蝕設備已進入中芯國際産線。滬矽産業的矽片、安集科技的抛光液、鼎龍股份的光刻膠等國産材料,正在逐步替代進口産品。這種産業鍊協同效應,不僅降低了中芯國際的采購成本,也增強了其供應鍊的安全性。然而,高端設備和材料仍依賴進口,如高端光刻膠、EUV光刻機等,國産化率不足10%。估值分析顯示,中芯國際當前市淨率PB約為2倍,低于台積電的5倍以上。這一折價反映了市場對其先進制程受限和盈利能力偏弱的擔憂。若按成熟制程業務估值,參考國内制造業企業的估值水平,中芯國際的合理PB可能在2至3倍之間。若考慮先進制程的突破可能性,則存在額外的成長期權價值。但這種期權價值的兌現時間和概率均存在高度不确定性。


風險方面,美國出口管制可能進一步收緊,若DUV設備也被納入禁運範圍,中芯國際的成熟制程擴張将受到嚴重制約。行業周期波動是另一大風險,全球半導體行業在2026年處于下行周期,若複蘇不及預期,中芯國際的産能利用率和價格均可能承壓。技術路線方面,若先進封裝、Chiplet等技術成為主流,對先進制程的需求可能下降,中芯國際的追趕壓力或有所緩解,但這同時也意味着先進制程的商業價值降低。對于投資者而言,中芯國際是國産半導體産業鍊的核心标的,其成熟制程業務提供了現金流安全墊,先進制程突破則提供了估值彈性。建議在估值低位時布局,同時密切關注國産光刻機進展和美國出口管制政策變化。

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