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【消息稱美光正探索開發近GPU NAND閃存以運行更大的LLM】

來源：詠桐時間：2026-09-03 14:19:50

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【消息稱美光正探索開發近GPU NAND閃存以運行更大的LLM】據報道，美光正探索開發高耐久性NAND閃存模塊的方案，研究如何将NAND閃存更靠近GPU，以處理那些不需要傳統HBM或常規DRAM模塊那樣高延遲和高帶寬的工作負載。這種架構目前被稱為“近GPU NAND”（Near-GPU NAND），旨在兼顧密度和耐久性。該方案允許GPU訪問密度低于傳統TLC或QLC NAND的NAND閃存池，但重點在于提升I/O速度、帶寬和讀取速度。該技術将使GPU能夠直接訪問數百GB的潛在存儲池，LLM将不再受限于内存。

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