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【三星電子開始量産236層NAND閃存】

來源：詠桐時間：2026-03-30 15:17:49

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【三星電子開始量産236層NAND閃存】新浪财經3月30日訊，三星電子已完成西安工廠工藝升級的第一階段，逐步淘汰了傳統的128層（V6）NAND閃存，并已開始量産236層（V8）産品。目前，三星電子正在籌劃進一步的升級，預計将于今年完成向286層（V9）NAND閃存的過渡。 (ETNews)

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