據報道三星電子正在與英偉達合作加速開發下一代NAND閃存芯片。由三星半導體研究所、英偉達及佐治亞理工學院組成的聯合研究團隊成功開發出一種“物理信息神經算子”模型。該模型分析鐵電基NAND設備性能的速度比現有模型快逾萬倍相關成果已對外公布。基于相關研究成果三星正與英偉達合作開發和商業化鐵電NAND閃存。

來源：藝瓊時間：2026-03-13 07:30:07

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