【SK海力士、三星加速HBF商業化進程 “HBM之父”：最快明年用于英偉達産品】

【SK海力士、三星加速HBF商業化進程 “HBM之父”：最快明年用于英偉達産品】盡管HBM自推出到登上半導體産業舞台中心花費了近十年時間，但其疊代技術HBF或将以更快速度實現商業化和普及。據報道，SK海力士正與閃迪合作，緻力于HBF标準的制定。該公司計劃最早于今年推出HBF1（第一代産品）樣品，該産品預計采用16層NAND閃存堆疊而成。除此之外，據“HBM之父”韓國科學技術院（KAIST）教授金正浩透露：“三星電子和閃迪計劃最快在2027年底或2028年初将HBF技術應用于英偉達、AMD和谷歌的實際産品中。”他補充道：“由于在研發HBM的過程中積累了豐富的工藝和設計技術，能将這些經驗應用于HBF設計中。因此HBF技術的研發速度會更快。”HBF即高帶寬閃存，其結構與堆疊DRAM芯片的HBM類似，是一種通過堆疊NAND閃存而制成的産品。金正浩認為，HBM與HBF就好比書房與圖書館。前者容量雖小，但使用起來方便；後者容量更大，但也意味着延遲更高。