【美國當局禁止哈佛招收留學生 國土安全部長稱其他大學或也會實施】
來源:真灼财經 時間:2025-05-23 08:17:52
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據首爾經濟日報,三星電子将與全球最大的光刻設備制造商ASML共同開發高數值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻技術。三星正參與一項旨在推動行業标準轉變的工作,即将自20世紀80年代以來一直使用的6英寸光掩模版轉向12英寸版本,并力争率先基于高NA EUV設備建立DRAM量産體系。三星計劃從2028年開始将高NA EUV設備應用于DRAM生産,随後進一步将這項技術擴展至1.4納米先進邏輯工藝,以推動其晶圓代工業務發展。擴大掩模版尺寸旨在彌補EUV技術的局限。高NA EUV的數值孔徑比傳統EUV高66%
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