9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM。在相同封裝尺寸下，容量是16Gb内存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需矽通孔(TSV)工藝即可生産128GB内存模組。此次新品為實現高達1TB容量的内存模組奠定了基礎。全新12納米級32Gb DDR5 DRAM計劃于今年年底開始量産。（全球TMT）
三星12納米級内存産品再擴容
來源：真灼财經 時間：2023-09-02 00:35:22
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