9月20日，在2026世界制造業大會上，長鑫科技宣布第五代技術平台正式量産。據介紹，長鑫科技将内存陣列有源區半間距做到11.95納米，存儲器電容深寬比45:1，核心動能區高度降至6762納米，同時，第五代工藝平台的存儲密度有了大幅提升，同等條件下，每張晶圓的産出，與上一代平台相比提升了50%以上。基于該平台打造的24GB LPDDR5X産品已經進入正式量産，全面進入國産主流旗艦手機。

來源：藝瓊 時間：2026-09-20 11:53:40