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【台積電研發二維晶體管新技術，突破先進半導體材料界面瓶頸】

來源：詠桐時間：2026-08-07 11:07:05

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【台積電研發二維晶體管新技術，突破先進半導體材料界面瓶頸】台灣陽明交通大學與台積電企業研發團隊在二維半導體領域取得新進展，提出一種原子級界面工程技術，可在縮小晶體管尺寸的同時保持高電氣性能，有望推動下一代低功耗半導體技術發展。相關研究成果發表于《自然·電子學》。研究團隊表示，二維半導體材料僅有單原子厚度，具備優異電學特性，被視為超越矽基芯片限制的潛在材料。但在制造晶體管時，超薄絕緣層與半導體之間的界面容易産生缺陷，導緻電子散射，使晶體管性能提升面臨瓶頸。研究人員通過在單層二硫化钼（MoS₂）半導體表面構建超薄氧化鋁界面層，再結合高介電常數氧化铪栅介質，改善材料界面質量，使晶體管同時實現更強電控能力和較高載流子遷移性能。

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