【三星(SSNLF.US)亮出3D内存“技術核彈”：400層V-NAND與zHBM概念首秀，直指AI内存王座】

【三星(SSNLF.US)亮出3D内存“技術核彈”：400層V-NAND與zHBM概念首秀，直指AI内存王座】當地時間周二，三星電子(SSNLF.US)在美國加州聖克拉拉舉行的“未來内存與存儲”大會上，集中展示了面向人工智能(AI)時代的下一代内存技術，包括超過400層的V10 BV-NAND原型、垂直堆疊式高帶寬内存zHBM以及zNAND-O架構，力圖在近1萬億美元規模的存儲芯片市場中鞏固領先地位，并加速追趕在AI内存領域先發制人的SK海力士與美光科技(MU.US)。